为解决 SiC MOSFET 栅氧层界面质量差导致沟道迁移率低，使得沟道开态电阻过高，能源转换效率严重受限的技术瓶颈问题西安交通大学微电子学院耿莉教授，刘卫华教授团队与西安电子科技大学郝跃院士共同合作，提出一种使用低温超临界二氧化碳 或超临界一氧化二氮 流体的低温退火工艺，以提高 4H—SiC MOSFET 中 4H—SiC / SiO2 界面的质量

该研究成果不仅实现高质量的 SiO2 / SiC 界面，高的沟道迁移率和介电可靠性，同时，提出的高效低温退火工艺与标准 SiC MOSFET 制造工艺兼容，为制备高性能 SiC MOSFET 器件提供了新的有效方法，方便用于商用器件的制备。

每经AI快讯，有投资者在投资者互动平台提问:请问公司管理层，安世主要做MOSFET，产能规模大且持续释放，IGBT市场公司的竞争能力如何？公司拓展IGBT的难点在哪里？公司怎么看待行业层面MOSFET和IGBT在汽车产业的未来？